骁龙 712+20W VOOC 3.0 闪充
配置部分,realme Q 相比 realme X 系列有了小幅提升,其 SoC 由之前的骁龙 710 改为了骁龙 712。存储规格上,它采用了 LPDDR4X+UFS2.1 搭配的方案,提供 4GB+64GB 、6GB+64GB 以及 8GB+128GB 三种可选项。
有关骁龙 712,这颗芯片首发搭载于今年三月份上市的小米 9SE 上,之前我们在相关评测文章中也做过介绍,它相当于骁龙 710 的「超频」升级版,综合性能提升了 10%,幅度不大,不过 GPU 部分的表现要比 710 好很多。
当然,如果把它和目前顶级的骁龙 855 以及骁龙 855 Plus 来做对比,差距还是客观存在的。不过好在 realme 对于游戏应用的优化还不错,reamle X 上搭载的 Hyperboost 2.0 在 realme Q 上也同样得到了保留。它所包含的 Frame Boost 和 Touch Boost 引擎,能够起到保证帧数稳定以及提升触控体验的目的。
实际游戏时,高帧率模式下,realme Q 运行王者荣耀的帧数处于 58 帧到 60 帧之间,偶尔会有波动,但幅度不大,整个游戏过程十分流畅。和平精英环境下,我们将画质设置为高清,同时帧数选择高,整局游戏并没有出现卡顿的情况,不过渲染速度略有延迟。
游戏过程中我们也留意了下它的散热情况,运行王者荣耀 15 分钟以后,你能够感觉到机身背部上半部分的温度有所上升,不过帧数波动处于正常范围内,没有出现掉帧的情况,整体散热能力还是不错的。
其它方面,这次 realme Q 依旧在机身内部塞进了以一块大电池,容量为 4035mAh,支持一整天正常使用没啥问题。除了继续采用大电池,它也同样标配了 20W VOOC 3.0 闪充。
在保持 5V 4A 的低压大电流规格的基础上,VOOC 3.0 采用了在 2.0 基础上增加了新恒压充电算法 FFC,解决了快充功率不稳定的问题,可以最大时间保持全程高功率充电,1% 到 100% 充满时长比 2.0 有了明显缩短,只需一个小时多一点。
总结
上一页 1 2 3 4 5下一页阅读全文